鹏城半导体LPCVD设备

小型LPCVD设备

LPCVD设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。

设备结构及特点

1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本

两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。

基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。

基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。

2、设备为水平管卧式结构

由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。

反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。

设备主要技术指标

 成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等

 高温度 1200℃

 恒温区长度 根据用户需要配置

 恒温区控温精度 ≤±0.5℃

 工作压强范围 13～1330Pa

 膜层不均匀性 ≤±5％

 基片每次装载数量 标准基片:1～3片;不规则尺寸散片:若干

 压力控制 闭环充气式控制

 装片方式 手动进出样品 

生产型LPCVD设备简介

设备功能

该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。

可提供相关镀膜工艺。

设备结构及特点：

设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。

反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。

整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。

设备主要技术指标

 成膜类型Si3N4、Poly-Si、SiO2等

 高温度 1200℃

 恒温区长度 根据用户需要配置

 恒温区控温精度 ≤±0.5℃

 工作压强范围 13～1330Pa

 膜层不均匀性 ≤±5％

 基片每次装载数量 100片

 设备总功率 16kW

 冷却水用量 2m3/h

 压力控制 闭环充气式控制

 装片方式 悬臂舟自动送样

LPCVD软件控制界面

1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7